MJD112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	MJD112
参数属性	MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述	Complementary Darlington Power Transistors TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	147.74 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-8 23:00:00
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MJD112规格书详情

MJD112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的MJD112晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Complementary Darlington Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Pb−Free Packages are Available

产品属性

产品编号：
MJD112-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

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