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MH182

Hall effect sensor ICs

MST

美加

MST

MJE182

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

文件:228.62 Kbytes 页数:4 Pages

MOSPEC

统懋

MRF182

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances

文件:133.23 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF182S

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances

文件:133.23 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

技术参数

  • Temperature:

    E/K

  • Package:

    UA/SO

  • Voltage range:

    3.0V - 24V

  • Supply Current:

    50mA

  • Sensitivity:

    60 Gauss

  • Status:

    NOW

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MST
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SOT23TO92
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更多MH182供应商 更新时间2026-10-22 9:01:00