High-power GaAs FET (small signal gain stage)

DESCRIPTION\nThe MGF0916A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers.\n\nFEATURES\nHigh output power \n  Po=23dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm\nHigh power gain\n  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz\nHigh power added efficiency\n  add=30%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm\nHermetic High output power \n  Po=23dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm\nHigh power gain\n  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz\nHigh power added efficiency\n  add=30%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=5dBm\nHermetic Package\n\nAPPLICATION\nFor UHF Band power amplifiers;

MinebeaMitsumi

美蓓亚三美

SMD

MITSUBIS

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NA

科索

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DIP5

MURATA/村田

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ON

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