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MG400Q2YMS3

High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

Applications • High-Power Switching • Motor Controllers Features (1) VDSS = 1200 V, ID = 400 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching) (2) Low stray inductance, low thermal resistance, maximum Tch= 150 , built in thermisteor. (3) Enhancement mode. (4) Electrodes are isolated

文件:569.53 Kbytes 页数:10 Pages

TOSHIBA

东芝

MG400Q2YMS3

SiC MOSFET Modules

Feature:All SiC MOSFET type\n\nApplication:High power switching (Power conversion, Motor drive)\n\nCircuit Configuration:2in1\n\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available

Toshiba

东芝

MG630

SSOT-4包

矩阵

MG73P034-071TCZ

QFP

OKIOki Electric Cable Co.,Ltd

冲电线日本冲电线株式会社

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

MG80486DX-33

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

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更多MG400Q2YMS3供应商 更新时间2026-1-30 17:34:00