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NCP331	文件：119.28 Kbytes Page：8 Pages	Soft-StartControlledLoadSwitchwithAutoDischarge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS331	文件：59.64 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS331N	文件：59.64 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS331N	文件：280.65 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS331N	文件：1.45725 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures VDS=20VID=2.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
NDS331N-NL	文件：1.04841 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NGRUS331	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NT331	文件：281.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNsilicontransistor Description •Generalsmallsignalamplifier Features •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(Max.) •Extremelysmallsizepackage:0.8x0.6x0.4㎜Typ. •ComplementarypairwithNT332	AUK AUK corp	AUK
NT331	文件：285.61 Kbytes Page：4 Pages	Generalsmallsignalamplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
NTE331	文件：21.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsAudioPowerAmp,Switch Description: TheNTE331(NPN)andNTE332(PNP)aresiliconepitaxial–basecomplementarypowertransistorsinaTO–220plasticpackageintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	NTE NTE Electronics	NTE

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