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NP60N06MLK	文件：445.45 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.1mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：528.54 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06PDK	文件：366.11 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP60N06PLK	文件：529.47 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06PLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP60N06VDK	文件：442.27 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VLK	文件：446.76 Kbytes Page：9 Pages	60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description NP60N06VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationand	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N06VLK	文件：552.71 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NTB60N06	文件：216.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET–Power,N-Channel,D2PAK60V,60A Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridge circuits. Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable−NVB60N06 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications •PowerSupplies •C	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB60N06L	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB60N06LG	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTP60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60V,60A,N-ChannelTO-220andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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