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NP60N04MUK	文件：1.59039 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NP60N04MUK	文件：111.76 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUK	文件：372.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04NUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04NUK	文件：281.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04PDK	文件：346.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.95mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04PDK	文件：278.91 Kbytes Page：8 Pages	40V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP60N04PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.95mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VDK	文件：271.36 Kbytes Page：8 Pages	40V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP60N04VDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04VDK	文件：299.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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