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ME4953	文件：1.05582 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05582 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME4953	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Force mos 力士科技	Force mos
MGF4953A	文件：205.79 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) DESCRIPTION The MGF4953A/MGF4954A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4953A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF49 文件：205.79 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package DESCRIPTION The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=20GHz NFmin. = 0.55dB (Typ.) High associated gain @ f=20GHz 文件：119.6 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MI4953	文件：1.05563 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05563 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ME4953供应商更新时间2026-3-13 19:47:00