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ME100N03T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Force mos 力士科技	Force mos
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Low on-state resistance ■ Avalanche ruggedness rated ■ Logic level compatible ■ Surface mount package. Applications ■ DC to DC converters ■ 文件：331.22 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 10A) Features 1) Low Qg. 2) Low on-resistance. 3) Exellent resistance to damage from static electric Structure Silicon N-channel MOS FET 文件：44.16 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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