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MDF12N50B	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50BTH	文件：322.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF12N50BTH	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50F	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50FTH	文件：1.38988 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.75ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF12N50TH	文件：322.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF12N50TH	文件：779.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50	文件：772.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50B	文件：1.15511 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP12N50BTH	文件：331.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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