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MDF13N50BTH	文件：322.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDF13N50BTH	文件：1.2155 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 13.0 A, 0.5(ohm) 文件：1.2155 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF13N50BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDF13N50G	文件：1.50636 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5(ohm) 文件：1.50636 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF13N50GTH	文件：1.50636 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 13.0A, 0.5(ohm) 文件：1.50636 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF13N50GTH	文件：322.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.5Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MDF13N50BTH供应商更新时间2026-1-22 18:30:00