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MDF1752TH	文件：322.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：322.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDF1752TH	文件：1.09946 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) 文件：1.09946 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF1752TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDI1752	文件：699.43 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) 文件：699.43 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDI1752TH	文件：699.43 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m(ohm) 文件：699.43 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDI1752TH	文件：363.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：363.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MDF1752TH供应商更新时间2025-11-30 14:13:00