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MDF1933

Single N-channel Trench MOSFET 80V, 43A, 7.5m(ohm)

文件:1.06269 Mbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDF1933TH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:322.78 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MDF1933TH

Single N-channel Trench MOSFET 80V, 43A, 7.5m(ohm)

文件:1.06269 Mbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDF1933TH

80V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

技术参数

  • Vds [V]:

    80

  • Vgs(th) [Max V]:

    4.0

  • Rds(on) [Ohm Max]Vgs=10V:

    7.3

  • Qg[nC] at 10V:

    59.4

  • Qgs [nC]:

    16.5

  • Qgd [nC]:

    12.3

  • Package:

    TO-220F

  • P Spice Model Info:

     

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更多MDF1933供应商 更新时间2025-10-4 10:09:00