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RJK6006DPD	文件：1.43513 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RN6006	文件：94.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) MotorDriveCircuitApplications PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●Smallflatpackage ●PC=1~2W(mountedonceramicsubstrate) ●ComplementarytoRN50	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RS6006MH	文件：420.72 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE400to1000VoltsCURRENT60Amperes FEATURES Lowleakage Lowforwardvoltage Surgeoverloadrating:500amperespeak Mountingposition:Any Idealforprintedcircuitboards Highforwardsurgecurrentcapability *Superiorthermalconductivity	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
S6006D	文件：222.45 Kbytes Page：12 Pages	SCRs GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S6006D	文件：212.84 Kbytes Page：12 Pages	SCRs(1Ato70A) GeneralDescription TheTeccorlineofthyristorSCRsemi-conductorsarehalf-wave,unidirectional,gate-controlledrectifierswhichcomplementTeccorslineofsensitiveSCRs.Teccoroffersdeviceswithratingsof1Ato70Aand200Vto1000V,withgatesensitivitiesfrom10mAto50mA.Ifga	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

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