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NX3008PBK	文件：1.60734 Mbytes Page：16 Pages	30V,230mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBK	文件：494.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NX3008PBKMB	文件：1.65853 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKS	文件：1.62533 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAdualP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363 (SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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