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MN3008	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	2048-StageLowNoiseBBD 2048-STAGELOWNOISEBBD	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MTP3008	文件：615.9 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedThree-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
NCE3008M	文件：273.94 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3008N	文件：338.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008Nusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3008XM	文件：636.1 Kbytes Page：8 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3008Y	文件：313.36 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3008Yusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=30V,ID=8A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NX3008CBKS	文件：2.33569 Mbytes Page：21 Pages	30/30V,350/200mAN/P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008CBKV	文件：1.48763 Mbytes Page：21 Pages	30/30V400/220mAN/P-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008CBKV	文件：310.2 Kbytes Page：20 Pages	30/30V,400/220mAN/P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmall andflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBK	文件：1.60829 Mbytes Page：16 Pages	30V,400mAN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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