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NX3008CBKV	文件：310.2 Kbytes Page：20 Pages	丝印：AC；Package：SOT666；30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET 1. General description Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench 文件：310.2 Kbytes 页数：20 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008CBKV	文件：1.48763 Mbytes Page：21 Pages	30 / 30 V 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET 文件：1.48763 Mbytes 页数：21 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX3008CBKV	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET Complementary N/P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 2 kV\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
NX3008NBK	文件：1.60829 Mbytes Page：16 Pages	30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET 文件：1.60829 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.055 Mbytes Page：15 Pages	30 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：1.055 Mbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
SOT666
Product status：
Production
Channel type：
N/P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2100
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.4
QGD [typ] (nC)：
0.08
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.52
Ptot [max] (W)：
0.33
VGSth [typ] (V)：
0.9
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
34
Coss [typ] (pF)：
6.5
Release date：
2011-07-19

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更多NX3008CBKV供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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