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NX3008CBKV	文件：310.2 Kbytes Page：20 Pages	Marking：AC；Package：SOT666；30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmall andflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •Trench	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008CBKV	文件：1.48763 Mbytes Page：21 Pages	30 / 30 V 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008NBK	文件：1.60829 Mbytes Page：16 Pages	30V,400mAN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.055 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleN-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008NBKMB	文件：259.43 Kbytes Page：14 Pages	30V,singleN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3 (SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKMB	文件：1.78151 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Application +Load/PowerSwitching +InterfacingSwitching +BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics +LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NX3008NBKS	文件：277.06 Kbytes Page：15 Pages	30V,350mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKT	文件：1.15579 Mbytes Page：17 Pages	30V,350mAN-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKV	文件：874.8 Kbytes Page：17 Pages	30V,400mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008NBKV	文件：252.14 Kbytes Page：14 Pages	30V,400mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatlead SOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtech	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
NX3008CBKV
功能描述：
MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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