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NCE3008M	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET \n The NCE3008M uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3008M	文件：273.94 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3008M；Package：SOT-89-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：273.94 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3008N	文件：338.9 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3008N uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge .This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature ● VDS =30V,ID =8A RDS(ON) 文件：338.9 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3008XM	文件：636.1 Kbytes Page：8 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3008XM uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 8A RDS(ON) 文件：636.1 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3008Y	文件：313.36 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3008Y uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge .This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature ● VDS =30V,ID =8A RDS(ON) 文件：313.36 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-89
Polarity：
P
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
8
VTH(V)：
1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
19.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
22.5
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
27
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
31
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
564
QG(nC)：
14.2
PD(W)：
2.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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