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F6617SPK	文件：1.17282 Mbytes Page：5 Pages	EnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION TheF6617SPKusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR, lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVrating. ItisESDprotected. Thisdeviceissuitableforuseasaunidirectionalorbi-directionalloadswitch,facilitated	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FLS6617	文件：454.1 Kbytes Page：15 Pages	Primary-Side-RegulationPWMwithPOWERMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FLS6617MX	文件：454.1 Kbytes Page：15 Pages	Primary-Side-RegulationPWMwithPOWERMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HM-6617	文件：91.67 Kbytes Page：7 Pages	2Kx8CMOSPROM Description TheHM-6617isa16,384bitfuselinkCMOSPROMina2Kwordby8-bit/wordformatwith“Three-State”outputs.ThisPROMisavailableinthestandard0.600inchwide24pinSBDIP,the0.300inchwideslimlineSBDIP,andtheJEDECstandard32padCLCC. Features •LowPowerStandbyand	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH	文件：139.85 Kbytes Page：5 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH	文件：128.419 Kbytes Page：14 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM RadiationHardened2Kx8CMOSPROM TheIntersilHS-6617RHisaradiationhardened16KCMOSPROM,organizedina2Kwordby8-bitformat.ThechipismanufacturedusingaradiationhardenedCMOSprocess,andisdesignedtobefunctionallyequivalenttotheHM-6617.Synchronouscircuitdesigntech	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HS-6617RH-T	文件：94.36 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardened2Kx8CMOSPROM Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF6617	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free(Qualifiedupto260째CReflow) Description TheIRF6617PbFcombinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMicro8™andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutg	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	IdealforCPUCoreDC-DCConverters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
MCH6617
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCH6617供应商更新时间2025-7-25 15:30:00

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