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MCH32	文件：1.87243 Mbytes Page：5 Pages	High capacitance 文件：1.87243 Mbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
MCH3205	文件：409.47 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • DC / DC co 文件：409.47 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3205	文件：36.75 Kbytes Page：5 Pages	High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultraminiature package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High allowab 文件：36.75 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3205-TL-E	文件：409.47 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • DC / DC co 文件：409.47 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3206	文件：31.34 Kbytes Page：4 Pages	DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High speed switching. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (0.85mm). • High allowable power dissipation. Applicatio 文件：31.34 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3209	文件：37.01 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High allowable power dissip 文件：37.01 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3209	文件：408.05 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：408.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3209-TL-E	文件：408.05 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：408.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3217	文件：38.72 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Narrow hFE range. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High 文件：38.72 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3218	文件：37.98 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Narrow hFE range. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High 文件：37.98 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.12
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.88
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
380
PTM Max (W)：
0.8
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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