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MCH3209	文件：408.05 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：408.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3209	文件：37.01 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm). • High allowable power dissip 文件：37.01 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3209	文件：49.41 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：49.41 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
MCH3209	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor, (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 MCH3109/MCH3209 is Bipolar Transistor, (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 for DC-DC Converter Applications. • Adoption of MBIT processes\n• Large current capacity\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High-speed switching\n• Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm)\n• High allowable power dissipation;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3209-TL-E	文件：408.05 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)30V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.85mm) • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：408.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MCH3209-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 3A 3MCPH	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.18
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.83
hFE Min：
200
hFE Max：
560
fT Min (MHz)：
450
PTM Max (W)：
0.8
Package Type：
SC-70FL/MCPH-3

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更多MCH3209供应商更新时间2025-10-4 14:00:00

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