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S-818	文件：366.6 Kbytes Page：23 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR TheS-818SeriesisapositivevoltageregulatordevelopedbyCMOStechnologyandfeaturedbylowdropoutvoltage,highoutputvoltageaccuracyandlowcurrentconsumption. Built-inlowon-resistancetransistorprovideslowdropoutvoltageandlargeoutputcurr	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：525.84 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：487.7 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SA818	文件：122.46 Kbytes Page：2 Pages	SAB5.0THRUSAB28SERIES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SBE818	文件：261.959 Kbytes Page：4 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818-TL-E	文件：489.74 Kbytes Page：6 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818-TL-E	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：485.03 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode30V,2A,LowVF,Non-MonolithicDualEMH8CommonCathode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：63.42 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierDiode30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm). Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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