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SDR818	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIE818DF	文件：192.37 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE818DF	文件：192.32 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel75-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR818DP	文件：314.17 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR818DP	文件：508.67 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STM818L/M	文件：1.14987 Mbytes Page：43 Pages	5Vsupervisorwithbatteryswitchover	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STM818LSLASHM	文件：1.14987 Mbytes Page：43 Pages	5Vsupervisorwithbatteryswitchover	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STT818A	文件：87.86 Kbytes Page：6 Pages	HIGHGAINLOWVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION UsingthelatestlowvoltageEpitaxialPlanartechnologybasedoninterdigitatedlayout,STMicroelectronicshasintroducedthenew“HighGain”Powerbipolartransistorfamily,withoutstandingperformances.Itsverylowsaturationvoltagecombinedwiththe“highgain”characteristics	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STT818B	文件：142.49 Kbytes Page：5 Pages	HIGHGAINLOWVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologywithBaseIslandlayout.TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■Verylowcollectortoemittersaturationvoltage ■DCcurrentgain>100(h	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STT818B	文件：147.31 Kbytes Page：10 Pages	HighgainlowvoltagePNPpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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更多MC818B供应商更新时间2025-7-19 14:01:00

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