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MC14572UB	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UB	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UB	文件：97.31 Kbytes Page：5 Pages	Hex Gate 文件：97.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBCP	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MC14572UBDR2	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBF	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBFEL	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UB_06	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UB_11	文件：115.33 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：115.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channels：
6
Output：
CMOS
VCC Min (V)：
3
VCC Max (V)：
18
tpd Max (ns)：
100
IO Max (mA)：
2.25
Package Type：
SOIC-16

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