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MC14572UBD	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBD	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDR2	文件：138.22 Kbytes Page：8 Pages	Hex Gate The MC14572UB hex functional gate is constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/or high noise immunity is desired. The chip contains four inverters, one 文件：138.22 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDG	文件：115.33 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：115.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDG	文件：97.31 Kbytes Page：5 Pages	Hex Gate 文件：97.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDG	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDR2	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDR2G	文件：94.78 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：94.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDR2G	文件：97.31 Kbytes Page：5 Pages	Hex Gate 文件：97.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MC14572UBDR2G	文件：115.33 Kbytes Page：6 Pages	Hex Gate 文件：115.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MC14572UBD
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器 - 多功能，可配置
系列：
4000B
包装：
管件
逻辑类型：
与非/或非反相门
输入数：
8 输入（1，1，2，2，1，1）
施密特触发器输入：
无
输出类型：
单端
电流 - 输出高、低：
3.5mA，8.8mA
电压 - 供电：
3V ~ 18V
工作温度：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE HEX NAND/NOR/INV 16-SOIC

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