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MBT3946D	文件：1.2984 Mbytes Page：13 Pages	SWITCHING TRANSISTORS DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS DESCRIPTION The MBT3946 D device is a spin off of our popular SOT 23/SOT 323 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT 363 six leaded surface mount package. By putting two discrete devi ces in one package, this device is ideal fo 文件：1.2984 Mbytes 页数：13 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBT3946DW	文件：1.2984 Mbytes Page：13 Pages	SWITCHING TRANSISTORS DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS DESCRIPTION The MBT3946 D device is a spin off of our popular SOT 23/SOT 323 three leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT 363 six leaded surface mount package. By putting two discrete devi ces in one package, this device is ideal fo 文件：1.2984 Mbytes 页数：13 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MBT3946DW1T1	文件：422.11 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded surface mount package. By putting two d 文件：422.11 Kbytes 页数：10 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MBT3946DW1T1G	文件：246.96 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistor The MBT3946DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT−23/SOT−323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363−6 surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount 文件：246.96 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3946DW1T2G	文件：246.96 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistor The MBT3946DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT−23/SOT−323 three-leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363−6 surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount 文件：246.96 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3946DW	文件：335.46 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistor NPNPNP Silicon 文件：335.46 Kbytes 页数：11 Pages	WEITRON	WEITRON
MBT3946DW	文件：508.18 Kbytes Page：11 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：508.18 Kbytes 页数：11 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MBT3946DW1T1	文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：720.39 Kbytes 页数：10 Pages	ETL 亚历电子	ETL
MBT3946DW1T1	文件：168.56 Kbytes Page：12 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：168.56 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3946DW1T1G	文件：168.56 Kbytes Page：12 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：168.56 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VCEO(V)：
40
hFE/ Min/Max：
100/300
hFE/ IC(mA)/VCE (Volts)：
10/1
fT (Min) (MHz)：
250
td (ns)：
10
tr (ns)：
25
ts (ns)：
225
tf (ns)：
60
Polarity：
C
Package：
SC-88

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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