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MBT35200MT1	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G4*；Package：SOT-26；High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 文件：64.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1_05	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 文件：64.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1_13	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor 文件：115.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor 文件：115.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1G	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 文件：64.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35SLASH10	文件：1.43577 Mbytes Page：3 Pages	BRIDGE RECTIFIER 文件：1.43577 Mbytes 页数：3 Pages	IRI	IRI
MBT35SLASH12	文件：1.43577 Mbytes Page：3 Pages	BRIDGE RECTIFIER 文件：1.43577 Mbytes 页数：3 Pages	IRI	IRI
MBT35SLASH14	文件：1.43577 Mbytes Page：3 Pages	BRIDGE RECTIFIER 文件：1.43577 Mbytes 页数：3 Pages	IRI	IRI
MBT35SLASH16	文件：1.43577 Mbytes Page：3 Pages	BRIDGE RECTIFIER 文件：1.43577 Mbytes 页数：3 Pages	IRI	IRI
MBT35200M	文件：300 bytes Page：1 Pages	SWITCHING TRANSISTORS	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
35
VCBO (V)：
55
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.68
VBE(on) (V)：
0.81
hFE Min：
100
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.625
Package Type：
TSOP-6

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