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MBT35200MT1	文件：81.25 Kbytes Page：8 Pages	丝印：G4*；Package：SOT-26；High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Haloge 文件：81.25 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Haloge 文件：115.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1_05	文件：64.66 Kbytes Page：6 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications 文件：64.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT35200MT1_13	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor 文件：115.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBT35200MT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Saturation	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MBT35200MT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT Low Saturation
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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