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MBT35200MT1	文件：81.25 Kbytes Page：8 Pages	Marking：G4*；Package：SOT-26；High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBT35200MT1	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	Marking：G4*；Package：SOT-26；High Current Surface Mount PNP Silicon HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBT35200MT1G	文件：115.4 Kbytes Page：5 Pages	High Current Surface Mount PNP Silicon HighCurrentSurfaceMountPNPSiliconSwitchingTransistorforLoadManagementinPortableApplications Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,Haloge	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBT35200MT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MBT35200MT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT Low Saturation
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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