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MBRS330	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTS These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：51.38 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330	文件：535.46 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BA R RIER RECTIFIER Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current c 文件：535.46 Kbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MBRS330	文件：317.242 Kbytes Page：2 Pages	3A 30V Schottky diode 文件：317.242 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBRS330	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极体	Sunmate 森美特	Sunmate
MBRS330T3	文件：51.38 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTS These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, hi 文件：51.38 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3G	文件：184.59 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and po 文件：184.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3G	文件：106.86 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polari 文件：106.86 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330P	文件：66.36 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：66.36 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330PT3G	文件：66.36 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：66.36 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

AEC-Q101Qualified：
_
IF(A）：
3
VRRM(V)：
30
VRMS(V)：
21
VDC(V)：
30
IFSM(A)：
80
VF(v)：
0.5
TRR(NS)：
_

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市诚利顺电子科技有限公司	MBRS330	ON	25+	SMCDO-214AB	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
深圳市一线半导体有限公司	MBRS330		24+		3000	公司现货	询价
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深圳市凯睿晟科技有限公司	MBRS330	ON/安森美	21+	DO-214AB	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
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深圳市跃创芯科技有限公司	MBRS330	FAIRCHILD/仙童	22+	DO214AB	15000	绝对原装正品现货,假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MBRS330	ON/安森美	24+	NA/	33250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	MBRS330	ON	2410+	DO-214	6860	优势代理渠道原装现货可全系列订货	询价

更多MBRS330供应商更新时间2025-12-1 15:30:00

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