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MBRS330T3G	文件：106.86 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polari 文件：106.86 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3G	文件：184.59 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier These devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and po 文件：184.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3G	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS330T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 4A SMC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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