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MBRD835LT4

SWITCHMODE Power Rectifier

文件:113.63 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRD835LT4G

SWITCHMODE Power Rectifier

文件:113.63 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRD835LT4G

SWITCHMODE Power Rectifier

文件:115.42 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRD835L

肖特基势垒整流器,35 V,8.0 A

This Schottky Rectifier with a proprietary barrier metal is designed for output rectifiers, free wheeling, protection and steering diodes, switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits. • Low Forward Voltage\n• 125 C Operating Junction Temperature\n• Epoxy Meets UL94, VO at 1/8\"\n• Compact Size\n• Lead Formed for Surface MountMechanical Characteristics:\n• Case: Epoxy, Molded\n• Weight: 0.4 gram (approximately)\n• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Lead;

ONSEMI

安森美半导体

MBRD835LG

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MBRD835L-T

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MBRD835

  • 制造商:

    SMC Diode Solutions

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    600pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 35V DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DPAK
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ON(安森美)
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标准封装
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更多MBRD835供应商 更新时间2026-4-13 16:31:00