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MBRD835L中文资料肖特基势垒整流器,35 V,8.0 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MBRD835L

参数属性

MBRD835L 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

功能描述

肖特基势垒整流器,35 V,8.0 A
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:52:00

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MBRD835L规格书详情

描述 Description

This Schottky Rectifier with a proprietary barrier metal is designed for output rectifiers, free wheeling, protection and steering diodes, switching power supplies, inverters and other inductive switching circuits.

特性 Features

• Low Forward Voltage
• 125 C Operating Junction Temperature
• Epoxy Meets UL94, VO at 1/8\"
• Compact Size
• Lead Formed for Surface MountMechanical Characteristics:
• Case: Epoxy, Molded
• Weight: 0.4 gram (approximately)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads 3 are Readily Solderable
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260 C Max. for 10 Seconds
• Shipped 75 units per plastic tube
• Available in 16 mm Tape and Reel, 2500 units per 13\" reel, by adding a \"T4\" suffix to the part number
• Marking: B835L
• These are Pb-Free Packages
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• SBRD8 and SBR Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

简介

MBRD835L属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的MBRD835L二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MBRD835L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :35

  • VF Max (V)

    :0.51

  • IRM Max (µA)

    :1400

  • IO(rec) Max (A)

    :8

  • IFSM Max (A)

    :75

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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