MBRD660CT中文资料肖特基功率整流器,开关模式,6 A,60 V数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MBRD660CT |
参数属性 | MBRD660CT 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK |
功能描述 | 肖特基功率整流器,开关模式,6 A,60 V |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 8:31:00 |
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MBRD660CT规格书详情
描述 Description
The Schottky Rectifier is designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes.
特性 Features
• Extremely Fast Switching
• Extremely Low Forward Drop
• Platinum Barrier with Avalanche GuardringsMechanical Characteristics:
• Case: Epoxy, Molded
• Weight: 0.4 gram (approximately)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260 °C Max. for 10 Seconds
• Marking: B620T, B630T, B640T, B650T, B660T
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• NRVBD and SBR Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements
简介
MBRD660CT属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的MBRD660CT二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
:MBRD660CT
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Configuration
:Common Cathode
- VRRM Min (V)
:60
- VF Max (V)
:0.9
- IRM Max (µA)
:100
- IO(rec) Max (A)
:6
- IFSM Max (A)
:75
- trr Max (ns)
:-
- Cj Max (pF)
:-
- Package Type
:DPAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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