Switch-mode Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

Schottky Power Rectifier, Switch-mode, 10 A, 35 V

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low voltage, high frequency inverters, • Highly Stable Oxide Passivated Junction\n• Guardring for Stress Protection\n• Matched dual die construction - May be Paralleled for High Current Output\n• High dv/dt Capability\n• Short Heat Sink Tap Manufactured - Not Sheared\n• Very Low Forward Voltage Drop\n• Epoxy Meets UL94, VO at 1/8\"Mechan;

ONSEMI

安森美半导体

SWITCHMODE™ Schottky Rectifier D2PAK Power Surface Mount Package

恩XP

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

10A SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Diodes

美台半导体

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY DPAK

DIODES

美台半导体

Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 35V 5A DPAK

ONSEMI

安森美半导体