High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

肖特基势垒整流器，15 V，25 A

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low voltage, high frequency inverters, • Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage\n• 100 C Operating Junction Temperature\n• Epoxy Meets UL94, VO at 1/8\"\n• Short Heat Sink Tab ManufacturedNot Sheared!\n• Similar in Size to the Industry Standard TO-220 PackageMechanical Characteristics:\n• Case: Epoxy, Molded\n• Weight: 1.;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK

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安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 15V 25A D2PAK

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安森美半导体