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MBRB1090-M3_V01	文件：91.91 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance plea 文件：91.91 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBR1090-M3_V01	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish 文件：110.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB20100CT	文件：0 bytes Page：0 Pages	最新	DIODES 美台半导体上传：瑞航达科技(深圳)有限公司	DIODES
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更多MBRB1090-M3_V01供应商更新时间2025-11-26 13:01:00