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MBR1090-M3_V01	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish 文件：110.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB1090-M3_V01	文件：91.91 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance plea 文件：91.91 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多MBR1090-M3_V01供应商更新时间2024-4-11 18:15:00