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MBR830MFS	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers 文件：64.8 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR830MFST1G	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers 文件：64.8 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR830MFST3G	文件：64.8 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers 文件：64.8 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR830MFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	8 A, 30 V Schottky Diode in SO-8FL 8 A, 30 V Schottky Diode in SO-8FL • Low Power Loss / High Efficiency\n• New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard Mounting\n• Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage\n• 150°C Operating Junction Temperature\n• Wettable Flacks Option Available\n• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR830MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR830MFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多MBR830供应商更新时间2026-1-30 16:00:00