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MBR830	文件：429.09 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Chip Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Capability ● High Current Capability and Low Forward Voltage Drop ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity 文件：429.09 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR830	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Capability ● High Current Capability and Low Forward Voltage Drop ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity 文件：428.69 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR830	文件：789.57 Kbytes Page：2 Pages	Guard Ring Die Construction for Transient Protection Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Capability ● High Current Capability and Low Forward Voltage Drop ● For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity 文件：789.57 Kbytes 页数：2 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR830	文件：1.11675 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.11675 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR830	文件：1.41622 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.41622 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR830	文件：1.40239 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 文件：1.40239 Mbytes 页数：2 Pages	SAMYANG 三阳电子	SAMYANG
MBR830	文件：141.68 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：141.68 Kbytes 页数：3 Pages	HY 虹扬科技	HY
MBR830	文件：112.18 Kbytes Page：2 Pages	High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes 文件：112.18 Kbytes 页数：2 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
MBR830	文件：487.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：MDDMBR830；Package：TO-220AC；SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：487.18 Kbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
MBR830	文件：218.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：218.88 Kbytes 页数：2 Pages	DSK	DSK

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.7
IRM Max (µA)：
200
IO(rec) Max (A)：
8
IFSM Max (A)：
150
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR830供应商更新时间2025-12-12 16:30:00

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