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MBR30H100C	文件：990.14 Kbytes Page：11 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
MBR30H100C	文件：476.74 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR30H100C	文件：4.86112 Mbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR30H100C	文件：333.01 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR30H100CT	文件：626.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR30H100CT	文件：81.65 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Dual Schottky Rectifiers DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapabil	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CT	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 100 V, 30 A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.67V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •30ATotal(15APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR30H100CT	文件：160.94 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CT_V01	文件：160.94 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR30H100CTG	文件：71.88 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 100 V, 30 A FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage:0.67V@125°C •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •30ATotal(15APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MBR30H100C
制造商：
BCDSEMI
制造商全称：
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述：
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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