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MBR30H100CT	文件：159.32 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier 文件：159.32 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR30H100CT	文件：130.199 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier 文件：130.199 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR30H100CT	文件：725.98 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common Cathode High Voltage Schottky Rectifier 文件：725.98 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR30H100CT	文件：128.16 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMPS. Schottky Barrier Rectifiers 文件：128.16 Kbytes 页数：2 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
MBR30H100CT	文件：128.82 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifier 文件：128.82 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR30H100CT	文件：228.14 Kbytes Page：3 Pages	30.0AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Low power loss, high efficiency 文件：228.14 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
MBR30H100CT	文件：219.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Schottky Rectifier 文件：219.51 Kbytes 页数：4 Pages	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MBR30H100CT_08	文件：128.82 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifier 文件：128.82 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR30H100CT_13	文件：228.14 Kbytes Page：3 Pages	30.0AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Low power loss, high efficiency 文件：228.14 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
MBR30H100CT_14	文件：213 Kbytes Page：4 Pages	Dual Common Cathode Schottky Rectifier 文件：213 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

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技术参数

AutomotiveCompliantPPAP：
No
Configuration：
Dual
MaximumAverageRectifiedCurrentIO：
30A
@TerminalTemperatureTT：
N/AºC
PeakRepetitiveReverseVoltageVRRM：
100V
PeakForwardSurgeCurrentIFSM：
250A
ForwardVoltageDropVF：
0.7V
@IF：
15A
MaximumReverseCurrentIR：
45µA
@VR：
100V
ReverseRecoveryTimetrr：
N/Ans
TotalCapacitanceCT：
N/ApF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR30H100C供应商更新时间2026-1-24 10:21:00

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