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FCS-3065	文件：595.42 Kbytes Page：4 Pages	FixedDomeNetworkCamera,5-Megapixel	LVL1 Level One	LVL1
FFSB3065B	文件：368.87 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FFSH3065B	文件：301.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP3065A	文件：239.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRDC3065	文件：540.49 Kbytes Page：6 Pages	TheIRU3065controllerisdesignedtoprovidesolutionsfortheapplicationsrequiringlowpoweronboardswitchingregulators.TheIRU3065isspecifically	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRU3065	文件：229.45 Kbytes Page：15 Pages	POSITIVETONEGATIVEDCTODCCONTROLLER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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LMP3065QU	文件：683.01 Kbytes Page：5 Pages	LMN-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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MBR3065	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR3065CT	文件：99.69 Kbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers Features •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. •Highsurgecapability. •Guardringforovervoltageprotection. •Ultrahigh-speedswitching. •Siliconepitaxialplanarchip,metalsiliconjunction. •SuffixGindicatesHalogen-freepart,ex
MBR3065CT-J	文件：1.65021 Mbytes Page：3 Pages	30AHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
NCE3065G	文件：669.33 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Gusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectificatio	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065K	文件：617.25 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=65A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE3065Q	文件：727.88 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE3065Qusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications.Application ●DC/DCConverter ●Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronous rectification	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCEP3065BQU	文件：808.94 Kbytes Page：5 Pages	LMN-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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更多MBR3065BCT供应商更新时间2024-6-15 15:19:00

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