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NCE3065G	文件：669.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE3065G；Package：DFN5x6-8L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificatio 文件：669.33 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3065G	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3065K	文件：617.25 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =65A RDS(ON) 文件：617.25 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3065Q	文件：727.88 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 文件：727.88 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP3065BQU	文件：808.94 Kbytes Page：5 Pages	LM N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：808.94 Kbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN5*6
Polarity：
P
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
65
VTH(V)：
1.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
5.3
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
7.2
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
6.9
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
9.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1400
QG(nC)：
32.3
PD(W)：
65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE3065G供应商更新时间2025-12-16 13:01:00

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