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NCE3065K中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE3065K
厂商型号

NCE3065K

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

NCE3065K

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

617.25 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企业简称

NCEPOWER无锡新洁能股份

中文名称

无锡新洁能股份有限公司官网

原厂标识
NCEPOWER
数据手册

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更新时间

2025-8-3 18:30:00

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NCE3065K规格书详情

描述 Description

The NCE3065K uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications. General Features

● VDS =30V,ID =65A

RDS(ON) <5.2mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NCE(无锡新洁能)
2024+
TO-252
13008
诚信服务,绝对原装原盘
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