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MBR20200C	文件：186.36 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：186.36 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MBR20200C	文件：89.04 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：89.04 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
MBR20200C	文件：428.56 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER 文件：428.56 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MBR20200C	文件：341.11 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：341.11 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
MBR20200C	文件：545.69 Kbytes Page：10 Pages	HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER 文件：545.69 Kbytes 页数：10 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
MBR20200CD	文件：1.08316 Mbytes Page：3 Pages	丝印：MBR20200CD；Package：TO-252；Schottky Diodes FEATURES High frequency operation High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability 文件：1.08316 Mbytes 页数：3 Pages	RFE RFE international	RFE
MBR20200CD-HF	文件：475.91 Kbytes Page：4 Pages	丝印：MBR20200CD；Package：TO-252；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - For use in low voltage, high frequency inverters free wheeling, and polarity protection applications. - Metal silicon junction, majority carrier conduction. - High current capability. - Low power loss, high efficiency. - Plastic package has underwrites laboratory flammability cla 文件：475.91 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
MBR20200CGD-HF	文件：472.05 Kbytes Page：4 Pages	丝印：MBR20200CGD；Package：TO-263；SMD Schottky Barrier Rectifiers Features - For use in low voltage, high frequency inverters free wheeling, and polarity protection applications. - Metal silicon junction, majority carrier conduction. - High current capability. - Low power loss, high efficiency. - Plastic package has underwrites laboratory flammability cla 文件：472.05 Kbytes 页数：4 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
MBR20200CT	文件：1.06341 Mbytes Page：3 Pages	丝印：MBR20200CT；Package：TO-220AB；Schottky Diodes FEATURES High frequency operation High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 文件：1.06341 Mbytes 页数：3 Pages	RFE RFE international	RFE
MBR20200CTS	文件：2.39029 Mbytes Page：3 Pages	丝印：MBR20200CTS；Package：TO-220AB；Schottky Diodes Features High frequency operation High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Guard fing for enhanced ruggedness and long term reliability Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-8106 文件：2.39029 Mbytes 页数：3 Pages	RFE RFE international	RFE

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Dual
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
20 A
@ TerminalTemperature TT (ºC)：
N/A ºC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
200 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
150 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.9 V
@ IF (A)：
10 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
50 µA
@ VR (V)：
200 V
Packages：
TO220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MBR20200C	SHS	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市一线半导体有限公司	MBR20200CT		24+		3000	公司现货	询价
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更多MBR20200C供应商更新时间2025-10-11 11:00:00

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