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MBR20200CT	文件：540.25 Kbytes Page：5 Pages	20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas: ●PolarityProtectionDiode ●Re-CirculatingDiode ●SwitchingDiode FeaturesandBenefits ●GuardRingDieConstructionfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR20200CT	文件：2.25025 Mbytes Page：2 Pages	20.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratory Classification94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequ	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
MBR20200CT	文件：261.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER REVERSEVOLTAGE:35to200VOLTS FORWARDCURRENT:20.0AMPERE FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Foru	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
MBR20200CT_V01	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	Switch‐mode Power Rectifier Dual Schottky Rectifier FeaturesandBenefits LowForwardVoltage LowPowerLoss/HighEfficiency HighSurgeCapacity 175COperatingJunctionTemperature 20ATotal(10APerDiodeLeg) ThisisaPb-FreeDevice* Applications PowerSupply−OutputRectification PowerManagement Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20200CTF	文件：370.95 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ReverseVoltage-40to200VForwardCurrent-20A FEATURES •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed •Mountingposition:any Mechanicaldata •Case:TO-220AB •pprox.Weight:	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MBR20200CTG	文件：125.5 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier Dual Schottky Rectifier SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER20AMPERES,200VOLTS FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •20ATotal(10APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20200CTG	文件：480.29 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 20 AMPERES, 200 VOLTS SWITCHMODEPowerRectifier DualSchottkyRectifier FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •20ATotal(10APerDiodeLeg) •Pb−FreePackageisAvailable Applications •P	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR20200CTG	文件：254.58 Kbytes Page：6 Pages	Switch‐mode Power Rectifier Dual Schottky Rectifier FeaturesandBenefits LowForwardVoltage LowPowerLoss/HighEfficiency HighSurgeCapacity 175COperatingJunctionTemperature 20ATotal(10APerDiodeLeg) ThisisaPb-FreeDevice* Applications PowerSupply−OutputRectification PowerManagement Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR20200CTH	文件：134.9 Kbytes Page：3 Pages	Power Schottky Rectifier - 20Amp 200Volt □Features -PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 -HighJunctionTemperatureCapability -Lowforwardvoltage,highcurrentcapability -Highsurgecapacity -Lowpowerloss,highefficiency -ESDperformancehumanbodymode>4KV -Haloge	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
MBR20200CT-LJ	文件：472.45 Kbytes Page：4 Pages	20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneralrequirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas: ●PolarityProtectionDiode ●Re-CirculatingDiode ●SwitchingDiode FeaturesandBenefits ●GuardRingDieConstructionfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Dual
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
20 A
@ TerminalTemperature TT (ºC)：
N/A ºC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
200 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
150 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.9 V
@ IF (A)：
10 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
50 µA
@ VR (V)：
200 V
Packages：
TO220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MBR20200C	SHS	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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