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MBD110DWT1G	文件：64.3 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：64.3 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：155.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：155.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：112.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G_07	文件：155.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：155.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G_12	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：112.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MBD110DWT1
功能描述：
肖特基二极管与整流器 7V 120mW Dual
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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