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MBD110DWT1G	文件：213.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：M4；Package：SC-88；Dual Schottky Barrier Diodes Application circuit designs are moving toward the consolidation of device count and into smaller packages. The new SOT−363 package is a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and reduces board space by putting two discrete devices in one small six−leaded package. The S 文件：213.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：112.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBD110DWT1G_07	文件：155.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：155.73 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G_12	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes 文件：112.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBD110DWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

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