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MBD110DWT1G	文件：213.8 Kbytes Page：7 Pages	Marking：M4；Package：SC-88；Dual Schottky Barrier Diodes Applicationcircuitdesignsaremovingtowardtheconsolidationof devicecountandintosmallerpackages.ThenewSOT−363packageisa solutionwhichsimplifiescircuitdesign,reducesdevicecount,andreduces boardspacebyputtingtwodiscretedevicesinonesmallsix−leaded package.TheS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：64.3 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MBD110DWT1G	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD110DWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 射频描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD110DWT1G_07	文件：155.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBD110DWT1G_12	文件：112.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual Schottky Barrier Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBD110DWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

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更多MBD110DWT1G供应商更新时间2025-7-15 14:04:00

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