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MBD110DWT1G分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MBD110DWT1G |
| 参数属性 | MBD110DWT1G 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88 |
| 功能描述 | Dual Schottky Barrier Diodes |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
64.3 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 18:36:00 |
| 人工找货 | MBD110DWT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBD110DWT1G规格书详情
MBD110DWT1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由安森美半导体制造生产的MBD110DWT1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
产品属性
更多- 产品编号：
MBD110DWT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基 - 2 个独立式
- 电压 - 峰值反向（最大值）：
7V
- 不同 Vr、F 时电容：
1pF @ 0V，1MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363
- 描述：
RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
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ON/安森美 |
22+ |
N/A |
42000 |
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询价 | ||
ONN |
2324+ |
2925 |
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询价 | |||
MOT |
25+ |
3000 |
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ONN |
2526+ |
原厂封装 |
2925 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 | ||
MOT |
05+ |
原厂原装 |
4338 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Microbridge |
25+ |
QFN-16 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
Microbridge |
24+ |
QFN-16 |
9860 |
全新原装现货/假一罚百! |
询价 |
