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MBD110DWT1分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MBD110DWT1

参数属性

MBD110DWT1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

功能描述

Dual Schottky Barrier Diodes

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

38.93 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

KEXIN

中文名称

科信电子

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数据手册

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更新时间

2025-12-7 9:09:00

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MBD110DWT1规格书详情

特性 Features

● Extremely Low Minority Carrier Lifetime

● Very Low Capacitance

● Low Reverse Leakage

产品属性

  • 产品编号:

    MBD110DWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基 - 2 个独立式

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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